Pat
J-GLOBAL ID：201503043596116870

紫外線を用いたコンフォーマルな膜蒸着の方法

Inventor：
ラボイエ・エイドリアン

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バラダラジャン・バドリ

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ヘンリー・ジョン

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ハウスマン・デニス

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Applicant, Patent owner：
ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド

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Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014554825
Publication number (International publication number)：2015510263
Application date： Jan. 24, 2013
Publication date： Apr. 02, 2015
Summary：
【解決手段】窒化ケイ素(SiN)材料、及び、SiCN(SiNCとも表記する)膜、SiON膜及びSiONC膜などの炭素含有及び/又は酸素含有膜を含む他のケイ素含有膜を基板上に形成する方法を記載する。様々な実施形態において、この方法は、1つ又は複数の反応物質の電磁放射線を用いた活性化を含む。ある実施形態において、たとえば、この方法は、気相アミン共反応物質の紫外線(UV)活性化を含む。この方法を用いて、約400°C未満の温度でSiN膜及びSiCN膜などのケイ素含有膜を蒸着することができる。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
反応チャンバに基板を提供する工程と、1回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、 各サイクルは、 (a)窒素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、 (b)ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、 (c)前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない 方法。
IPC (5)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (7)：
H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/314 A ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 C
F-Term (57)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030FA15 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA12 ,  5F045AA13 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045BB07 ,  5F045DP03 ,  5F045EE08 ,  5F045EE19 ,  5F045EH01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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