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J-GLOBAL ID：201603008289256484

プラズマ発生装置、および、プラズマ発生方法

Inventor： 田中 康規 ,  倉石 克弥 ,  赤尾 美香 ,  吉田 豊信
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014522433
Patent number：5959025
Application date： Jun. 26, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 扁平形状のチャンバであって、当該チャンバの内部に所定方向にプラズマガスが流通するチャンバと、 前記チャンバに対して前記所定方向に直交する方向に交播磁界を印加することにより、前記チャンバの内部に熱プラズマを発生させる磁界印加部とを備え、 前記磁界印加部は、 前記チャンバを挟むように配置されるU字形状の磁性体コアであって、前記チャンバに近づく向きに突出する一対の突起部が複数設けられた磁性体コアと、 前記磁性体コアの一部に巻回されたコイルとを有する プラズマ発生装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H05H 1/30 ( 200 6.01) ,  C23C 16/507 ( 200 6.01)

FI (3)：

H05H 1/46 L ,  H05H 1/30 ,  C23C 16/507

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 高周波負イオン源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-213708   Applicant：株式会社東芝
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-115399   Applicant：株式会社荏原製作所
• 大気圧プラズマ発生装置及び点火方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-041351   Applicant：松下電器産業株式会社
• 材料処理のための新規なRFプラズマソース
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-232870   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 高周波プラズマ処理装置および処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-213750   Applicant：シャープ株式会社
• 大気圧プラズマ処理装置及び処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-201335   Applicant：シャープ株式会社
• プラズマ発生用電極、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-097172   Applicant：滝川浩史, 株式会社栗田製作所, 大研化学工業株式会社
• プラズマ発生装置およびこれを用いた表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-123470   Applicant：株式会社小松製作所