半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安彦元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017121137
Publication number (International publication number)：2019009169
Application date： Jun. 21, 2017
Publication date： Jan. 17, 2019
Summary：

【課題】高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮する。【解決手段】基板2の上に設けられた活性層4と、前記活性層4の上に設けられたクラッド層5とを備える半導体光デバイス1であって、前記クラッド層5の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層7を備えることを特徴とする。また、基板2の上に設けられた活性層4と、前記活性層4の上に設けられたクラッド層5とを備える半導体光源であって、前記クラッド層5の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層7を備えることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたクラッド層とを備える半導体光デバイスであって、前記クラッド層の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層を備えることを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (5)：

H01S 5/042 , H01S 5/343 , H01L 33/14 , H01L 33/30 , H01L 31/10

FI (5)：

H01S5/042 614 , H01S5/343 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L31/10 A

F-Term (46)：

5F173AA05 , 5F173AA16 , 5F173AF08 , 5F173AF75 , 5F173AF78 , 5F173AH30 , 5F173AJ03 , 5F173AJ05 , 5F173AJ41 , 5F173AK04 , 5F173AK08 , 5F173AL03 , 5F173AL05 , 5F173AP09 , 5F173AP33 , 5F173AP54 , 5F173AP57 , 5F173AP60 , 5F173AP63 , 5F173AQ12 , 5F173AR75 , 5F173AS01 , 5F173MA02 , 5F173SC02 , 5F241AA21 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA34 , 5F241CA53 , 5F241CA57 , 5F241CA58 , 5F241CA66 , 5F241CA71 , 5F241CA73 , 5F241CA92 , 5F241CA99 , 5F241FF14 , 5F849AA01 , 5F849AB07 , 5F849BA21 , 5F849BB01 , 5F849DA35 , 5F849EA11 , 5F849FA05 , 5F849GA06 , 5F849XB24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

p型半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-059520 Applicant：松下電器産業株式会社
化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-351714 Applicant：昭和電工株式会社
ドープド半導体材料、ドープド半導体材料の製造方法、および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-177538 Applicant：シャープ株式会社

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