半導体デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019163987
Publication number (International publication number)：2021044327
Application date： Sep. 09, 2019
Publication date： Mar. 18, 2021
Summary：

【課題】SILCの発生が抑制された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、上記半導体チャネルの上記ゲート電極側の表面は、この表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、前記半導体チャネルの前記ゲート電極側の表面は、該表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L29/78 301H , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568 , H01L29/78 371

F-Term (28)：

5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F101BA02 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD30 , 5F140AA06 , 5F140AA23 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA10 , 5F140BA12 , 5F140BA13 , 5F140BC15 , 5F140BC17 , 5F140BF01 , 5F140BF05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

平滑なウェハの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-544170 Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
表面粗さ測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-306414 Applicant：株式会社ミツトヨ
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138806 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (7)

平滑なウェハの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-544170 Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
表面粗さ測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-306414 Applicant：株式会社ミツトヨ
半導体装置の製造方法
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