平滑なウェハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：鮫島睦 , 田村恭生
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009544170
Publication number (International publication number)：2010515261
Application date： Dec. 14, 2007
Publication date： May. 06, 2010
Summary：

ウェハの粗研磨および熱的なアニールの組み合わせによって、半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法。

Claim (excerpt)：

おもて面および裏面を有する半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法であって、該方法は: ウェハのおもて面を研磨することであって、約1μm×約1μm〜約100μm×約100μmのスキャンサイズで測定する場合、該研磨工程は、ウェハのおもて面の粗さを約1.5Å以下に減少させないこと;および不活性ガス、水素またはそれらの混合物を含んで成る雰囲気において、少なくとも約1050°Cの温度で少なくとも約5分間の時間、研磨したウェハを熱的にアニールすることを含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 , H01L 21/02

FI (4)：

H01L21/304 621B , H01L21/02 B , H01L21/304 622P , H01L21/304 621A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

シリコンウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090135 Applicant：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-241269 Applicant：住友電気工業株式会社
エピタキシャルウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366876 Applicant：エム・イー・エム・シー株式会社

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Cited by examiner (1)

シリコンウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090135 Applicant：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社

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