特許
J-GLOBAL ID：201703008534547055
成膜方法及び成膜装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221662
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075451
特許番号：特許第6042160号
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】チャンバ内において、膜厚が50nm以上のAlON膜からなるゲート絶縁膜を成膜する成膜方法であって、
AlN膜を成膜する第1の成膜ステップと、
AlO膜を成膜する第2の成膜ステップとを有し、
前記第1の成膜ステップでは、前記チャンバ内にアルミニウム源ガスを導入した後、前記チャンバ内を排気しながらも余分な前記アルミニウム源ガスの分子を全て排出する前に窒素源ガスを導入し、
前記第2の成膜ステップでは、前記チャンバ内に前記アルミニウム源ガスを導入した後、チャンバ内を排気しながらも余分なアルミニウム源ガスの分子を全て排出する前に酸素源ガスを導入し、
前記第1の成膜ステップと、前記第2の成膜ステップとを繰り返して前記AlO膜及び前記AlN膜が交互に積層された積層構造を有する前記AlON膜を形成することを特徴とする成膜方法。
IPC (11件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
H01L 21/318 M
, H01L 21/316 M
, H01L 21/318 C
, H01L 21/31 B
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/58 G
, H01L 29/48 D
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
