特許
J-GLOBAL ID：200903055374407346

多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜、及びその製造方法

発明者：
石井 宏寿

石井 宏寿 について

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白藤 立

白藤 立 について

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藤田 静雄

藤田 静雄 について

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橘 邦英

橘 邦英 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について

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国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-042096
公開番号（公開出願番号）：特開2008-201982
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】低誘電率、高強度、高耐熱性を具備する薄膜を得ること及びその製造方法を提供する。【解決手段】下記式(1)、(2)及び(3)で表される多環脂環式化合物から選ばれる1種類以上の多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜であり、多環脂環式化合物をプラズマ重合法により薄膜とする製造方法であり、低誘電率、高強度、高耐熱性を備えた薄膜となり、CPU、DRAM、フラッシュメモリ等の半導体装置、薄膜上にパターン形成し、回路を描いて作製された薄膜トランジスタに代表される情報処理用小型電子回路装置、高周波通信用電子回路装置等の電子回路装置、画像表示装置、表面保護膜、光学膜等として使用することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)、(2)及び(3)で表される多環脂環式化合物から選ばれる1種類以上の多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜。
IPC (4件)：
C08G 61/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (3件)：
C08G61/00 ,  H01L21/312 A ,  H01L21/90 J
Fターム (17件)：
4J032CA43 ,  4J032CA45 ,  4J032CB01 ,  4J032CB04 ,  4J032CC03 ,  4J032CE14 ,  4J032CE23 ,  4J032CG01 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AE02 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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