成膜方法及び成膜装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221662
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075451
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】膜厚が大きくても窒素が厚み方向に関して均一に分散したAlON膜を生成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】ウエハWのSiC基板17上にAlN膜23を成膜した後、AlO膜24の成膜、及び該成膜されたAlO膜24上へのAlN膜23の成膜を繰り返してAlO膜24及びAlN膜23が交互に積層された積層構造を有するAlON膜25を形成し、該積層構造を有するAlON膜25に熱処理を施す。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

パワーデバイス向けのMOSFETに用いられるゲート絶縁膜の成膜方法であって、 AlN膜を成膜する第1の成膜ステップと、 AlO膜を成膜する第2の成膜ステップとを有し、前期第1の成膜ステップと、前記第2の成膜ステップとを繰り返して前記AlO膜及び前記AlN膜が交互に積層された積層構造を有するAlON膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (11件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 21/28 , H01L 29/49 , H01L 29/423 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (11件)：

H01L21/318 M , H01L21/316 M , H01L21/318 C , H01L21/31 B , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/48 D

Fターム (37件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD11 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DP13 , 5F045DP19 , 5F045DP27 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EM10 , 5F058BA01 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF06 , 5F058BF13 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF74 , 5F058BH01 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (7件)

炭化珪素半導体構造における積層誘電体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568128 出願人：クリーインコーポレイテッド
金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-008335 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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審査官引用 (7件)

炭化珪素半導体構造における積層誘電体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568128 出願人：クリーインコーポレイテッド
金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-008335 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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