成膜方法及び成膜装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-076095
公開番号（公開出願番号）：特開2015-198185
出願日： 2014年04月02日
公開日（公表日）： 2015年11月09日
要約：

【課題】耐圧性を備えた酸窒化膜を得ることができる成膜方法を提供する。【解決手段】ウエハWのSiC基板18の表面に薄いSiO2膜23を成膜した後、HfO膜25の成膜及びAlN膜24の成膜を繰り返してHfO膜25の成膜とAlN膜24が交互に成膜されたHfAlON膜26を形成し、HfAlON膜26が形成されたSiC基板18を加熱してHfAlON膜26へ熱処理を施す。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

パワーデバイス向けのMOSFETに用いられるゲート絶縁膜の成膜方法であって、第1の元素を含む窒化膜を成膜する窒化膜成膜ステップと、第2の元素を含む酸化膜を成膜する酸化膜成膜ステップとを繰り返して窒化膜及び酸化膜を交互に成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (13件)：

H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/56 , C23C 16/30 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 21/283

FI (19件)：

H01L21/28 301B , H01L21/316 M , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/318 M , H01L21/318 C , H01L21/316 P , H01L21/31 B , H01L21/31 C , C23C16/56 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L21/283 C

Fターム (57件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA35 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030KA02 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA12 , 4M104AA03 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DP11 , 5F045DP19 , 5F045EE19 , 5F045EF02 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045EK07 , 5F045HA16 , 5F058BA01 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BH01 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-047283 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
炭化珪素半導体構造における積層誘電体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568128 出願人：クリーインコーポレイテッド

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