成膜方法及び成膜装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221662
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075451
特許番号：特許第6042160号
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チャンバ内において、膜厚が50nm以上のAlON膜からなるゲート絶縁膜を成膜する成膜方法であって、 AlN膜を成膜する第1の成膜ステップと、 AlO膜を成膜する第2の成膜ステップとを有し、前記第1の成膜ステップでは、前記チャンバ内にアルミニウム源ガスを導入した後、前記チャンバ内を排気しながらも余分な前記アルミニウム源ガスの分子を全て排出する前に窒素源ガスを導入し、前記第2の成膜ステップでは、前記チャンバ内に前記アルミニウム源ガスを導入した後、チャンバ内を排気しながらも余分なアルミニウム源ガスの分子を全て排出する前に酸素源ガスを導入し、前記第1の成膜ステップと、前記第2の成膜ステップとを繰り返して前記AlO膜及び前記AlN膜が交互に積層された積層構造を有する前記AlON膜を形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (11件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/12 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/423 ( 200 6.01) , H01L 29/49 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 21/318 M , H01L 21/316 M , H01L 21/318 C , H01L 21/31 B , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 21/28 301 B , H01L 29/58 G , H01L 29/48 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

炭化珪素半導体構造における積層誘電体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568128 出願人：クリーインコーポレイテッド
金属酸窒化膜の製造方法および絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-008335 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-294264 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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