半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：森幸一 , 杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417113
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128519
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】発光特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子を実現する。【解決手段】第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させ、互いに隣接する少なくとも二つの第2の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、窒化物系III-V族化合物半導体層が成長された窒化物系III-V族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより半導体発光素子を製造する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させ、互いに隣接する少なくとも二つの上記第2の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、上記窒化物系III-V族化合物半導体層が成長された上記窒化物系III-V族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより製造されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S5/323

FI (1件)：

H01S5/323 610

Fターム (9件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA34 , 5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273882 出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (12件)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-005682 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基板および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056109 出願人：株式会社リコー
窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-361420 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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