発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-105647
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352084
出願日： 2006年04月06日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板11の一主面に形成した凹部11aに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てGaN層12を成長させることによりこの凹部11aを埋めた後、このGaN層12から横方向成長を行う。このGaN層12上に、活性層を含むGaN系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。このGaN系発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより当該凹部を埋める工程と、上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層から上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA71 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041DA07 , 5F041DA14 , 5F041DA20 , 5F041DA43 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-193119 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-199774 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-213490 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (10件)

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-051348 出願人：三洋電機株式会社
半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-090884 出願人：豊田合成株式会社
光取出率を改善するための発光デバイスにおける光学エレメントの形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-098327 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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