特許
J-GLOBAL ID：200903074487243638
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
森 幸一
, 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417115
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128520
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】 発光特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子を実現する。 【解決手段】 第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が第1の方向に第1の間隔で規則的に配列し、第1の方向と直交する第2の方向に第1の間隔より小さい第2の間隔で規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する場合に、第2の方向の第2の領域の列が実質的に7本以上含まれず、かつ、第2の領域が半導体発光素子の発光領域に含まれないように窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにする。【選択図】 図24
請求項（抜粋）：
第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が第1の方向に第1の間隔で規則的に配列し、上記第1の方向と直交する第2の方向に上記第1の間隔より小さい第2の間隔で規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
上記第2の方向の上記第2の領域の列が実質的に7本以上含まれず、かつ、上記第2の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないように上記窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/323
, H01L21/205
, H01L33/00
H01S5/323 610
, H01L21/205
, H01L33/00 C
5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA60
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CB01
, 5F041CB04
, 5F041CB23
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045EK28
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073AB05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA30
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA24
, 5F073EA28
, 5F073EA29
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
全件表示
前のページに戻る
