特許
J-GLOBAL ID：201103025251437900
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417116
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128521
特許番号：特許第3739381号
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を直線状に50μm以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系III-V族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系III-V族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第2の領域が上記種の領域に互いに平行に規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
上記第2の領域の間隔が50μm以上であり、上記第2の領域が1本以上含まれ、かつ、上記第2の領域が上記半導体発光素子の発光領域に含まれないように上記窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
