特許
J-GLOBAL ID：201103049054183537
半導体発光素子の製造方法および半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417114
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088134
特許番号：特許第3739379号
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を50μm以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系III-V族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系III-V族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が上記種の領域に規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させるようにした半導体発光素子の製造方法であって、
上記窒化物系III-V族化合物半導体基板の端面または角部に少なくとも一つの上記第2の領域が存在するようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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