特許
J-GLOBAL ID：201103099602378713
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417113
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128519
特許番号：特許第3739378号
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地基板上に非晶質または多結晶の層からなる種を50μm以上の間隔で規則的に形成し、この種が形成された上記下地基板上に窒化物系III-V族化合物半導体をファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、上記種の領域に集合させた後、上記下地基板を除去し、さらに上記窒化物系III-V族化合物半導体の表面を平坦化することにより製造された、第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が上記種の領域に規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させ、
互いに隣接する少なくとも二つの上記第2の領域を結ぶ直線を含む輪郭線に沿って、上記窒化物系III-V族化合物半導体層が成長された上記窒化物系III-V族化合物半導体基板のスクライビングを行うことにより半導体発光素子を製造するようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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