特許
J-GLOBAL ID：201303010070668347
発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-105647
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352084
特許番号：特許第5082278号
出願日： 2006年04月06日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一主面に、断面形状が逆台形である一つまたは複数の凹部を有する単結晶の基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てGaNからなる第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を、成長原料のV/III比を13000±2000、成長温度を1050±50°Cの範囲に設定して有機金属化学気相成長法により成長させることにより当該凹部を埋め、この際、上記凹部の底面との界面から上記基板の上記一主面に対して垂直方向に発生し、上記三角形の断面形状となる状態の上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層の斜面またはその近傍に到達した転位が、上記一主面に平行な方向に屈曲するとともに、上記凹部と上記凹部との間の凸部上には上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層が成長しないようにする工程と、
上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層から上記基板上にGaNからなる第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を、成長原料のV/III比を5000±2000、成長温度を1150±50°Cの範囲に設定して有機金属化学気相成長法により横方向成長させる工程と、
上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程とを有する発光ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01L 33/00 172
, H01L 33/00 186
