清水博文

シミズヒロフミ | Shimizu Hirofumi

ホームページURL (1件)： http://www.ee.ce.nihon-u.ac.jp

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (11件)：結晶工学 , 誘電体薄膜 , 表面光電圧 , 機能性絶縁薄膜 , シリコン酸化膜 , 半導体ナノテクノロジー , Crystal Technology , Surface Photovoltage , Insulator Thin Film , Si dioxide , Semiconductor Nanotechnology

競争的資金等の研究課題 (12件)：

2003 - 2010 半導体表面の解析、誘電体薄膜の伝導機構の解析及び結晶欠陥に関する研究
2003 - 2010 Study on Semiconductor Surface, Electrical Conduction Mechanism of Oxide Films and Crystal Defects
2002 - 2010 交流表面光電圧法によるシリコン表面における酸化膜電荷、ショットキー障壁に関する研究
2002 - 2010 Study on Oxide charge and Schottky Barrier in Silicon with ac Surface Photovoltage
2002 - 2008 ゾルーゲル法及び蒸着法によるHfO2, ZrO2膜の物性及び電気的特性に関する研究

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論文 (5件)：

MISC (184件)：

Hirofumi Shimizu, Yuji Sanada. Anomalous Oxide Charge Variation Identified by Alternating Current Surface Photovoltage Method in Cr-Aqueous-Solution-Rinsed p-Type Si(001) Wafers Exposed to Air. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011. 50. 11. 111301
Hirofumi Shimizu, Shintarou Nagase, Masanori Ikeda. Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers. APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING. 2011. 104. 3. 929-934
Hirofumi Shimizu, Yuji Sanada. Schottky-Barrier-Induced AC Surface Photovoltages in Au-Precipitated n-Type Si(001) Surfaces. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011. 50. 8. 085701
清水博文, H. Shimizu, S. Shimada, M. Ikeda. Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-TypeSilicon Wafers, 49, pp. 038001-1-038001-2 (2010). Japanese. J. Appl. Phys. 2010. 49. 038001-038001-2
清水博文, H. Shimizu, D. Nemoto, M. Ikeda, T. Nishide. Characterization of Sol-Gel-Derived and Crysterized HfO2 Thin Films Dependent on Sol solution. Japanese J. Appl. Phys. 2010. 49

特許 (1件)：

シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法

書籍 (15件)：

よくわかる半導体LSIのできるまで(共著) -ウエーハ製造工程ー
日刊工業新聞社 2006
基礎からの半導体工学(共著)
日新出版 2005
最新シリコンデバイスと結晶技術、
Realize (Science & Engineering) 2005
グローバルスタンダードへの挑戦ー300 mm半導体工場へ向けた標準化の歴史ー 3.5ウエーハ端面形状などについての検討と提案
SEMIジャパン 2003
よくわかるシステムLSIのできるまで(共著) -システムLSI対応ウエーハ製造工程ー
日刊工業新聞社 2002

講演・口頭発表等 (189件)：

CrデポしたSi(001)表面のショットキー障壁から原子的結合への遷移
(2011)
交流表面光電圧法により検証されたFe誘起負電荷
(2011)
Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
(7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
(7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
ゾルーゲル法により形成したHfO2膜の物性評価
(2009)

Works (30件)：

ニオブおよびタンタル誘電体皮膜の研究
2005 - 2006
高感度薄膜半導体評価技術に関する研究
2006 -
半導体及び結晶欠陥の評価技術に関する研究
1999 - 2005
Research on semiconductor crystalline imperfections and characteristic technique
1999 - 2005
半導体材料(寄稿),JETI (Japan Energy and Technology Intelligence)、石油文化社、53 [1], 116-117 (2005).
2005 -

学歴 (6件)：

- 1972 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻大学院工学研究科金属材料工学専攻
- 1972 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Engineering
- 1969 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻大学院材料科学研究科金属材料工学専攻
- 1969 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Materials Science Material Science
- 1967 名古屋工業大学工学部金属工学

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学位 (2件)：

工学博士 (東北大学)
工学修士 (東北大学)

経歴 (3件)：

1999 - -:日本大学・工学部・電気電子工学科・教授
1999 - -:Electrical and Electronic Department, College of Engineering, Nihon University, Professor
日本大学工学部電気電子工学科教授

受賞 (2件)：

1999 - 第47回電気科学技術奨励賞(オーム技術賞)
1988 - 日本金属学会金属組織写真奨励賞

所属学会 (2件)：

応用物理学会(Japanese Journal Applied Physics) , Journal of Electrochemical Society

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