特許
J-GLOBAL ID：200903000023306161
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064968
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347585
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 井戸層の厚さを変えることで容易に発光波長を制御でき、1チップで多色光発光が可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、シリコン基板1と、シリコン基板1の主面上に形成された一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを備える。シリコン基板1は、このシリコン基板1の主面より62度の傾斜した面、もしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を備え、該斜面上に厚さの異なる量子井戸層3aを複数積層する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成され一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される化合物半導体層とを備え、前記基板は、該基板の主面より62度傾斜した面かもしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた面を斜面として有する溝を有し、前記化合物半導体層は前記斜面上に形成されるベース層と、該ベース層上に形成される活性層とを含み、前記活性層は、井戸層と障壁層を交互に積層した構造からなり、前記活性層の井戸層の厚さが2nm以上10nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (17件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA88
, 5F041CB11
, 5F041CB25
, 5F041CB29
, 5F041DB07
, 5F041EE25
, 5F041FF01
出願人引用 (13件)
全件表示
審査官引用 (12件)
-
特許第3843245号
-
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-201092
出願人：澤木宣彦, シャープ株式会社
-
特許第3884969号
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
