有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253232
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067263
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。【化1】(式中、X1及びX2は互いに独立してS(硫黄原子)、O(酸素原子)またはNRa(アミン)を表し、Raは水素原子または置換基を表し、R1〜R4は互いに独立して水素原子または置換基を表す。mは0または1以上の整数を表す。Arは置換または無置換の1つまたは2つ以上のアリーレン基またはヘテロアリーレン基を有する不飽和炭化水素を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C08G 61/12 , C07D 495/04

FI (8件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 250F , H01L29/28 310J , C08G61/12 , C07D495/04 101

Fターム (42件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG02 , 4C071HH01 , 4C071LL07 , 4J032BA02 , 4J032BB04 , 4J032BC01 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110NN72 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (12件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ポリチオフェン類を用いたデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006210 出願人：ゼロックス・コーポレーション
ポリチオフェン類
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-004785 出願人：ゼロックス・コーポレーション

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審査官引用 (2件)

新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-397788 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び5員複素環化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-016906 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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