特許
J-GLOBAL ID：200903025575672742
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136498
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037286
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体層が該半導体層を成長する母材基板から受ける応力を確実に低減できるようにすると共に、該母材基板を半導体層から容易に分離できるようにする。【解決手段】 サファイアからなる母材基板11の上に、厚さが約5μmのn型GaNからなるn型コンタクト層12を成長する。一旦、反応炉から取り出して、レーザ光80を母材基板11側からn型コンタクト層12に照射することにより、母材基板11とn型コンタクト層12との間にn型コンタクト層12が熱分解してなる熱分解層12aを形成して、母材基板11とn型コンタクト層12の間の接合を分離する。次に、母材基板11の上に接着された状態のn型コンタクト層12の上に発光層14を含むエピタキシャル層を成長する。次に、熱分解層12aを塩酸で除去することにより、エピタキシャル層から母材基板11を分離して除去する。
請求項（抜粋）：
母材基板の上に第1の半導体層を形成する第1の工程と、前記母材基板に対して前記第1の半導体層の反対側の面から照射光を照射することにより、前記第1の半導体層と前記母材基板との間に前記第1の半導体層が熱分解されてなる熱分解層を形成する第2の工程と、前記熱分解層が形成された第1の半導体層の上に、能動層を含む第2の半導体層を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
