特許
J-GLOBAL ID：200903000486896790
半導体装置及び電子装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-061014
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242782
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】半導体基板に外部接続用電極をなすバンプが接合された半導体装置において、厚さの増加を伴わない簡単な構造を備えることにより、バンプが実装基板から受ける応力を緩和あるいは吸収すると共に、電気的接続の安定性を確保できる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置1は、半導体基板2の一面に配された電極3と整合する位置に開口部αを有する絶縁樹脂層4を配する。また、開口部αを通して電極と電気的に接続される導電部5を絶縁樹脂層の一部を覆うように配する。さらに、絶縁樹脂層及び導電部を、導電部と整合する位置に複数の開口部βを有する封止樹脂層6で覆い、開口部βを通して導電部と電気的に接続されるバンプ7,8を備える。開口部βは、半導体基板の外縁領域に主に位置する第1開口部β1とその他の領域に位置する第2開口部β2とから構成され、少なくとも第1開口部の一部は、第2開口部より大きな開口面積を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一面に電極を配してなる半導体基板と、
前記半導体基板の一面を覆うように配され、前記電極と整合する位置に電極用の開口部αを有する絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部αを通して前記電極と電気的に接続される導電部と、
前記絶縁樹脂層及び前記導電部を覆い、前記導電部と整合する位置に複数のバンプ用の開口部βを有する封止樹脂層と、
前記開口部βを通して前記導電部と電気的に接続されるバンプと、
を少なくとも備える半導体装置であって、
前記開口部βは、前記半導体基板の外縁領域に主に位置する第1開口部とその他の領域に位置する第2開口部とから構成され、少なくとも前記第1開口部の一部は、前記第2開口部より大きな開口面積を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/92 602Q
, H01L21/92 602G
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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