特許
J-GLOBAL ID：200903001365256162
記憶素子、メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-010549
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177421
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】情報の記録を少ない電流量で安定して行うことができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層3と、この記憶層3に対してトンネル絶縁層15を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層2とを有し、積層方向に電流Izを流すことにより、記憶層3の磁化の向きが変化して、記憶層3に対して情報の記録が行われ、磁化固定層2の内部に、それぞれ積層方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化M21a,M21bを有する、複数の磁化領域21が形成されている記憶素子1を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、
前記記憶層に対して非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有し、
積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、
前記磁化固定層の内部に、もしくは、前記磁化固定層に対して前記記憶層とは反対の側に、それぞれ積層方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化を有する、複数の磁化領域が形成されている
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
4M119AA01
, 4M119AA03
, 4M119AA11
, 4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119CC05
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD09
, 4M119DD17
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119DD55
, 4M119EE22
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF16
, 5F092AA04
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC12
, 5F092BC32
, 5F092BC38
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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