高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-032921
公開番号（公開出願番号）：特開2009-191151
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【解決手段】側鎖のヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護されたモノマー(1)又は(2)と酸不安定基を有するモノマー(3)の共重合により得られる高分子化合物(A)を液浸リソグラフィー用フォトレジスト用の添加剤材料として用いる。【効果】高分子化合物(A)を用いたレジスト材料は液浸リソグラフィーにおける撥水性と滑水性に優れ、現像欠陥が少ない良好なリソグラフィー性能を実現することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)〜(3)で表される繰り返し単位から構成されることを特徴とする重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。

IPC (7件)：

C08F 220/26 , G03F 7/039 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , G03F 7/11 , G03F 7/023 , H01L 21/027

FI (7件)：

C08F220/26 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/38 501 , G03F7/11 501 , G03F7/023 , H01L21/30 502R

Fターム (44件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025CB14 , 2H025CC20 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 4J100AL03R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03R , 4J100BC04Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (14件)

特開昭62-62520号公報
特開昭62-62521号公報
特開昭60-38821号公報

全件表示

審査官引用 (7件)

液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-006013 出願人：東京応化工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-001659 出願人：株式会社東芝
フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-128938 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

全件表示

前のページに戻る