特許
J-GLOBAL ID：200903003824378643
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-298678
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072185
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】、信頼性の低下や製造歩留りの低下を招くことなく、微細化を実現しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板14上にゲート絶縁膜22を介して形成され、ゲート電極を含むゲート配線24aと、ゲート配線の端部に近接して形成された第1のソース/ドレイン拡散層28と、ゲート配線と第1のソース/ドレイン拡散層とから離間して形成された第2のソース/ドレイン拡散層34と、ゲート配線、第1のソース/ドレイン拡散層、及び第2のソース/ドレイン拡散層上に形成された絶縁膜40であって、ゲート配線と、第1のソース/ドレイン拡散層の一方と、第2のソース/ドレイン拡散層の一方とを一体的に露出する溝状の開口部が形成された絶縁膜と、溝状の開口部42a内に埋め込まれたコンタクト層48aとを有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、ゲート電極を含むゲート配線と、
前記半導体基板上に、前記ゲート配線の端部に近接して形成された第1のソース/ドレイン拡散層と、
前記半導体基板上に、前記ゲート配線と前記第1のソース/ドレイン拡散層とから離間して形成された第2のソース/ドレイン拡散層と、
前記ゲート配線、前記第1のソース/ドレイン拡散層、及び前記第2のソース/ドレイン拡散層上に形成された絶縁膜であって、前記ゲート配線と、前記第1のソース/ドレイン拡散層の一方と、前記第2のソース/ドレイン拡散層の一方とを一体的に露出する溝状の開口部が形成された絶縁膜と、
前記溝状の開口部内に埋め込まれたコンタクト層と
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (31件)：
5F083BS05
, 5F083BS17
, 5F083BS27
, 5F083BS46
, 5F083BS47
, 5F083BS48
, 5F083GA09
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083JA56
, 5F083LA01
, 5F083LA21
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR01
, 5F083PR06
, 5F083PR10
, 5F083PR40
, 5F083PR43
, 5F083PR44
, 5F083PR45
, 5F083PR46
, 5F083PR53
, 5F083PR54
, 5F083PR55
, 5F083PR56
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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