特許
J-GLOBAL ID：200903004349326907

半導体発光装置

発明者：
松尾 哲二

松尾 哲二 について

, 
武田 四郎

武田 四郎 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-165261
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004625
出願日： 2007年06月22日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】半導体発光装置に発光効率の向上及び均一の指向性が要求されている。【解決手段】半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板1と、発光半導体領域2と、第1の電極3と、第2の電極4と、光透過性を有し且つ基板1及び発光半導体領域2を覆っている包囲体5と、光反射層6と、金属支持板7と、端子8と、接続導体9とを備えている。基板1の側面に凹凸面13が形成されている。基板1の側面に凹凸面13の上に光反射層6が形成されている。光反射層6に光散乱用の凹凸面23が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主面と他方の主面と側面とを有している基板と、 前記基板の前記一方の主面上に配置された発光半導体領域と、 前記発光半導体領域に電気的に接続された第1及び第2の電極と、 前記基板及び前記発光半導体領域を包囲し且つ光透過性を有している包囲体と、 前記包囲体で包囲されている前記基板の表面の少なくとも一部に配置され、且つこの配置位置が前記発光半導体領域から前記包囲体内に放射された光の一部が入射することが可能な位置に決定されている光反射層と を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA74
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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