特許
J-GLOBAL ID：200903004586394739
ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光来出 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097437
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299792
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 積層体の絶縁層をウェットエッチングして電子部品を製造するのに、低コストで、且つ廃棄処理に問題のある有機溶剤を使用せずに、電子部品を精度よく、しかも生産性を飛躍的に高めることができる製造方法を提供する。【解決手段】 積層体における絶縁層1はウェットエッチング可能で、単層構造又は2層以上の絶縁ユニット層の積層構造であり、該ウェットエッチングによる絶縁層のパターニングは、導電性無機物層2,3のパターニングが行われた積層体に対して、ドライフィルムレジスト4,5を用いて、長尺状態で且つ連続供給の一貫生産ラインで行い、ドライフィルムを用いて絶縁層のパターニングを行う際に、ドライフィルムレジストを80KPa以下の減圧下で、ロールプレスにより積層体にラミネートする。
請求項（抜粋）：
導電性無機物層-絶縁層-導電性無機物層からなる積層体、又は導電性無機物層-絶縁層からなる積層体をウェットエッチングにより導電性無機物層のパターニング、次いでウェットエッチングにより絶縁層のパターニングを行う電子部品の製造方法であって、該積層体における絶縁層はウェットエッチング可能で、単層構造又は2層以上の絶縁ユニット層の積層構造であり、該ウェットエッチングによる絶縁層のパターニングは、導電性無機物層のパターニングが行われた積層体に対して、ドライフィルムレジストを用いて、長尺状態で且つ連続供給の一貫生産ラインで行い、該ドライフィルムレジストを用いて絶縁層のパターニングを行う際に、ドライフィルムレジストを80KPa以下の減圧下で、ロールプレスにより積層体にラミネートすることを特徴とする電子部品の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/00
, G03F 7/004 512
, G11B 21/21
, H05K 3/06
H05K 3/00 K
, H05K 3/00 F
, G03F 7/004 512
, G11B 21/21 C
, G11B 21/21 A
, H05K 3/06 A
2H025AB11
, 2H025EA08
, 2H025FA17
, 2H025FA40
, 5D059AA01
, 5D059BA01
, 5D059DA26
, 5D059DA31
, 5D059EA03
, 5E339AA02
, 5E339AB02
, 5E339AB07
, 5E339AC05
, 5E339AC06
, 5E339AD01
, 5E339AD03
, 5E339AE01
, 5E339BC01
, 5E339BC02
, 5E339BD06
, 5E339BD11
, 5E339BE13
, 5E339CC10
, 5E339DD04
, 5E339FF03
