特許
J-GLOBAL ID:200903007472218387
苛酷な環境で使用するためのアバランシェ・フォトダイオード
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
松本 研一
, 小倉 博
, 伊藤 信和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-409749
公開番号(公開出願番号):特開2004-193615
出願日: 2003年12月09日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】 本発明は、油井掘さく用途で使用するためのアバランシェ・フォトダイオード(APD)素子に関する。【解決手段】 APDは、第1のドーパントを有する基板110と、基板の上に置かれた、第1のドーパントを有する第1の層111と、第1の層の上に置かれた、第2のドーパントを有する第2の層112と、第2の層の上に置かれた、第2のドーパントを有する第3の層114と、APDの表面上に電気的パッシベーションをもたらすためのパッシベーション層116、122と、第3の層の上に置かれた、可動イオン移動を制限するためのケイ酸燐ガラス124と、第1の電極が基板の下に置かれ、また第2の電極が第3の層の上に置かれた、オームコンタクトを形成するための一対の金属電極118、120とを含み、APDは、傾斜メサ形状を形成する第1の側壁と第2の側壁とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
紫外線光子を検出するためのアバランシェ・フォトダイオードであって、
第1のドーパントを有する基板(110)と、
前記基板の上に置かれた、第1のドーパントを有する第1の層(111)と、
前記第1の層の上に置かれた、第2のドーパントを有する第2の層(112)と、
前記第2の層の上に置かれた、第2のドーパントを有する第3の層(114)と、
該アバランシェ・フォトダイオードの表面上に電気的パッシベーションをもたらすためのパッシベーション層(116、122)と、
前記第3の層の上に置かれた、可動イオン移動を制限するためのケイ酸燐ガラス(124)と、
第1の電極が前記基板の下に置かれ、また第2の電極が前記第3の層の上に置かれた、オームコンタクトを形成するための1対の金属電極(118、120)と、
を含み、
該アバランシェ・フォトダイオードが、傾斜メサ形状を形成する第1の側壁と第2の側壁とを含み、
該アバランシェ・フォトダイオードが、ほぼ摂氏150度に匹敵する温度を含む環境内で動作する、
ことを特徴とするアバランシェ・フォトダイオード。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5F049MA07
, 5F049MB03
, 5F049MB07
, 5F049NA07
, 5F049NA20
, 5F049NB07
, 5F049QA02
, 5F049SZ13
, 5F049WA05
引用特許:
審査官引用 (15件)
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特開昭61-226973
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特開平4-137565
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プラチナをドープしたアバランシェフォトダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-113519
出願人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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特開平3-278482
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高感度紫外放射検出フオトダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-055466
出願人:クリーリサーチインコーポレイテツド
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固体撮像装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-321410
出願人:キヤノン株式会社
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半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-053290
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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SiC紫外線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-232877
出願人:株式会社東芝
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X線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-043620
出願人:株式会社東芝
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光電子集積回路及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-280907
出願人:三洋電機株式会社
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光検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-349134
出願人:三洋電機株式会社
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特開昭60-049681
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特開昭61-095580
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光検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-036791
出願人:松下電器産業株式会社
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光検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-057470
出願人:松下電器産業株式会社
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引用文献:
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