特許
J-GLOBAL ID：200903009515367910
埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつCMOS集積回路素子及び基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217433
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつCMOS集積回路素子及び基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 CMOS集積回路素子が電気的な絶縁層と該絶縁層上の歪みのない活性層を含む。絶縁ゲート電極が歪みのないシリコン活性層の表面に与えられる。Si1-xGex層が前記絶縁層と前記シリコン活性層との間に配置される。Si1-xGex層は前記シリコン活性層と第1接合を形成し、その内にゲルマニウムがピークレベルから前記シリコン活性層の表面に向かう第1方向で単調に減少する傾斜した濃度をもつ。ゲルマニウムのピーク濃度レベルはx=0.15以上であり、Si1-xGex層内でゲルマニウムの濃度はピークレベルから第1接合でx=0.1以下のレベルまで変化する。第1接合でゲルマニウムの濃度は急傾斜であり得る。
請求項（抜粋）：
電気的な絶縁層と、前記電気的な絶縁層上の歪みのないシリコン活性層と、前記歪みのないシリコン活性層表面上の絶縁されたゲート電極と、前記電気的な絶縁層と前記歪みのないシリコン活性層との間に配置され、前記歪みのないシリコン活性層と第1接合を形成し、その内でゲルマニウムがピークレベルから表面に向けて延びる第1方向に単調に減少する傾斜した濃度をもつSi1-xGex層と、を含んでなるSOI電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 27/12 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 D
