電子デバイスの速応温度反復制御を液体を利用して広範囲に行うための装置、方法及びシステム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560463
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520622
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】DUT用アクティブ温度制御システムは、液体HFE7100を含むヒートシンクと電気ヒータを利用している。液体は設定値以下に冷却され、ヒータはDUTを設定値まで温度上昇するのに使用される。設定値は-10°Cから+110°Cまでの範囲である。ヒートシンクは設定値のすべてに対し単一の冷媒のみを使用しており、設定値の変更を数分以内で達成できる。所定の設定値において、ヒータは素早く応答して自己加熱の効果を相殺し、設定値のずれを数°C以内に維持する。応答を早めるのにパワー追従技術が利用できる。

請求項（抜粋）：

デバイスの温度を制御する装置であって、デバイスと熱結合されたヒータと、前記ヒータと熱結合され、液体が流れるチャンバを画成するヒートシンクと、前記ヒータと前記ヒートシンクとの両方に連結され、ヒータのある部位の温度を制御する温度制御システムとを備え、前記温度制御システムは、ヒータの制御を変化させ、かつ、前記チャンバを流れる液体を略一定温度に維持することによりヒータの前記部位の温度を略第1設定温度から略第2設定温度へと変化させるようにした温度制御装置。

IPC (2件)：

G01R 31/28 , G01R 31/26

FI (2件)：

G01R 31/26 H , G01R 31/28 H

Fターム (8件)：

2G003AC00 , 2G003AD03 , 2G003AD04 , 2G003AG01 , 2G003AH01 , 2G132AB13 , 2G132AF20 , 2G132AL21

引用特許：

審査官引用 (11件)

テスト中の装置の温度制御方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-288695 出願人：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレイテッド
光半導体素子の温度特性試験装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-102619 出願人：日本電気株式会社
特開平2-304378

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