MOS構造およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280234
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111064
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】低い抵抗、受け入れ可能な欠陥密度、信頼性およびプロセス制御を有する拡散領域をシリコン基板中に形成する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、(a)シリコン基板に第1のイオン注入を施す段階であって、アモルファス化されたSiの領域が前記シリコン基板中に形成されるような条件下で実施される段階と、(b)前記アモルファス化されたSiの領域を含む前記シリコン基板に第2のイオン注入を施す段階であって、第2のイオン注入ピークが前記アモルファス化されたSiの領域内にあるような条件下で前記シリコン基板中にドーパント・イオンを注入することによって実施される段階と、(c)前記シリコン基板を、前記アモルファス化されたSiの領域が再結晶化されるような条件下でアニールする段階であって、これによって前記シリコン基板中に拡散領域が形成される段階を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板中に拡散領域が形成されているMOS構造の製造方法であって、(a)シリコン基板に第1のイオン注入を施す段階であって、前記第1のイオン注入段階が、アモルファス化されたSiの領域が前記シリコン基板中に形成されるような条件下で実施される段階と、(b)前記アモルファス化されたSiの領域を含む前記シリコン基板に第2のイオン注入を施す段階であって、前記第2のイオン注入段階が、前記ドーパント・イオンの注入ピークが前記アモルファス化されたSiの領域内にあるような条件下で前記シリコン基板中にドーパント・イオンを注入することによって実施される段階と、(c)前記シリコン基板を、前記アモルファス化されたSiの領域が再結晶化されるような条件下でアニールする段階であって、これによって前記シリコン基板中に拡散領域が形成される段階を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 29/94 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 29/94 Z , H01L 21/20 , H01L 21/265 F , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開平3-262117
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143565 出願人：日本電装株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-365060 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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