特許
J-GLOBAL ID:200903014719930669
アトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-279319
公開番号(公開出願番号):特開2009-109236
出願日: 2007年10月26日
公開日(公表日): 2009年05月21日
要約:
【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。【解決手段】針状試料10を、その先端11側が集束イオンビームBの進行方向D先方を向きかつ基端12側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線C1が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
集束イオンビームの照射によってアトムプローブ用の針状試料の先端を加工するアトムプローブ用針状試料の加工方法であって、
前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記集束イオンビームの進行方向に対して前記針状試料の軸線が鋭角をなすように傾斜させて配置し、
前記針状試料をその軸線を中心に回転させながら、該針状試料の先端を加工することを特徴とするアトムプローブ用針状試料の加工方法。
IPC (3件):
G01N 1/28
, H01J 37/30
, H01J 37/317
FI (3件):
G01N1/28 G
, H01J37/30 Z
, H01J37/317 D
Fターム (7件):
2G052AA11
, 2G052AD32
, 2G052EC16
, 2G052JA09
, 5C034AA02
, 5C034AB04
, 5C034DD09
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (12件)
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