Si-SiC複合材の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265228
公開番号（公開出願番号）：特開2003-071555
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：

【要約】【課題】開気孔を持つ多孔質SiC中にSiを含浸する方法において、複雑な含浸機構や高価な装置を用いずに、簡便かつ容易な方法によって緻密なSi-SiC複合材を得る製造方法、またSiの供給速度を容易に制御できる製造方法を提供する。【解決手段】SiCを主成分とする焼成体の上部にSiを入れた坩堝を設置し、該坩堝を加熱してSiを溶融状態とし、Siの融液を坩堝が有する孔を通じて焼成体表面に供給し、Siを焼成体に含浸させる。坩堝を、SiCを主成分とし、密度が1.30g/cm3〜3.02g/cm3の範囲内であり、密度比が40〜92TD%の範囲内であり、水銀ポロシメーターで測定した平均気孔径(平均細孔径)が50nm〜30μmの範囲内とする。

請求項（抜粋）：

SiCを主成分とする焼成体の上部にSiを入れた坩堝を設置し、該坩堝を加熱してSiを溶融状態とし、Siの融液を坩堝が有する孔を通じて焼成体表面に供給し、Siを焼成体に含浸させてSi-SiC複合材を製造するSi-SiC複合材の製造方法。

IPC (3件)：

B22D 19/00 , C04B 41/88 , C22C 1/10

FI (4件)：

B22D 19/00 E , B22D 19/00 F , C04B 41/88 U , C22C 1/10 G

Fターム (4件)：

4K020AA22 , 4K020AC07 , 4K020BA05 , 4K020BB22

引用特許：

審査官引用 (13件)

シリコン単結晶引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-352136 出願人：東芝セラミックス株式会社
特開昭58-084182
特開昭64-087565

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