特許
J-GLOBAL ID：200903099424730388
窒化物系化合物半導体およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217019
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066900
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】高い静電破壊耐性を示す素子を与える窒化物系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】〔1〕一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物系化合物半導体の製造方法であって、p型コンタクト層とn型コンタクト層との間に、550〜850°Cの範囲で50〜500nmのノンドープの一般式InaGabAlcN(ただし、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1)で表される窒化物系化合物半導体(A)を設けることを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。〔2〕上記窒化物系化合物半導体(A)とn型コンタクト層との間に、900〜1200°Cの範囲で20〜600nmのノンドープの一般式IndGaeAlfN(ただし、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1)で表される窒化物系化合物半導体(B)を設けることを特徴とする〔1〕記載の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物系化合物半導体の製造方法であって、p型コンタクト層とn型コンタクト層との間に、550〜850°Cの範囲で50〜500nmのノンドープの一般式InaGabAlcN(ただし、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1)で表される窒化物系化合物半導体(A)を設けることを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F041AA21
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041DA17
, 5F041DA43
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC00
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA09
出願人引用 (3件)
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-286728
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-112908
出願人：日亜化学工業株式会社
-
3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-267925
出願人：豊田合成株式会社
審査官引用 (7件)
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