特許
J-GLOBAL ID：200903081965290619
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-271948
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086903
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 高温、高出力駆動時に、活性層への正孔の注入を阻害することなく電子のオーバーフローを抑制することができ、駆動電流および駆動電圧の大幅な低減が可能な、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する。【解決手段】 n型クラッド層5とp型クラッド層10との間に活性層7がはさまれた構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層7とp型クラッド層10との間に、AlおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体からなる第1の厚さを有する障壁層とGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体からなる第2の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなるキャップ層8を、少なくとも一つ設ける。
請求項（抜粋）：
n型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層がはさまれた構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、上記活性層と上記p型クラッド層との間に、AlおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体からなる第1の厚さを有する障壁層とGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体からなる第2の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなるキャップ層が、少なくとも一つ設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610
, H01L 33/00
H01S 5/343 610
, H01L 33/00 C
5F041AA24
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073EA23
