特許
J-GLOBAL ID：200903017113248250

シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
河野 隆治

河野 隆治 について

, 
高見澤 彰一

高見澤 彰一 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297518
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100855
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 外観の良いシリコン単結晶ウェーハを得ることを可能とするリフトピン方式のシリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、および、リフトピン方式でサセプタ上に着脱して処理を行う場合にも優れた外観を呈するシリコン単結晶ウェーハを提供する。【解決手段】 サセプタ12に対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結晶ウェーハ19を下面側から支持した状態で昇降動作するのに伴わせてサセプタ12上にシリコン単結晶ウェーハ19を着脱するためのリフトピン14を備える。リフトピン14は、シリコン単結晶ウェーハ19の主裏面との接触端面が、上に凸な曲面形状に形成されているとともに、該接触端面に研磨が施されている。
請求項（抜粋）：
処理容器と、該処理容器内に配され上面にシリコン単結晶ウェーハが載置されるサセプタと、該サセプタに対し昇降動作可能に設けられ、シリコン単結晶ウェーハを下面側から支持した状態で前記昇降動作するのに伴わせてサセプタ上にシリコン単結晶ウェーハを着脱するためのリフトピンと、を備えるシリコン単結晶ウェーハ処理装置において、前記リフトピンは、シリコン単結晶ウェーハの主裏面との接触端面が、上に凸な曲面形状に形成されているとともに、該接触端面に研磨が施されていることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/68 N ,  H01L 21/205
Fターム (11件)：
5F031CA02 ,  5F031HA06 ,  5F031HA33 ,  5F031LA01 ,  5F031PA20 ,  5F031PA30 ,  5F045AB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP02 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (11件)
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