磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000848
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203774
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】MR比および耐熱性に優れる磁気抵抗効果(MR)素子を提供する。【解決手段】磁性層の少なくとも1つが式M100-aXaにより示される強磁性材料M-Xを含む。ただし、Mは、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1種、Xは、式X1bX2cX3dにより示され(X1は、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種、X2は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Znおよびランタノイドから選ばれる少なくとも1種、X3はSi、B、C、N、O、PおよびSから選ばれる少なくとも1種)、a、b、cおよびdは、それぞれ、0.05≦a≦60、0≦b≦60、0≦c≦30、0≦d≦20、a=b+c+dを満たす数値である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの磁性層と、前記2つの磁性層の間に配置された少なくとも1つの非磁性層とを含む多層膜を含み、前記少なくとも2つの磁性層における磁化方向の相対角度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子であって、前記磁性層の少なくとも1つが、式M100-aXaにより示される強磁性材料M-Xを含む磁気抵抗効果素子。ただし、Mは、Fe、CoおよびNiから選ばれる少なくとも1種の元素であり、Xは、式X1bX2cX3dにより示され、X1は、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、PtおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素であり、X2は、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Znおよびランタノイドから選ばれる少なくとも1種の元素であり、X3は、Si、B、C、N、O、PおよびSから選ばれる少なくとも1種の元素であり、a、b、cおよびdは、それぞれ、以下の式を満たす数値である。 0.05≦a≦60 0≦b≦60 0≦c≦30 0≦d≦20 a=b+c+d

IPC (7件)：

H01L43/08 , G11B5/39 , G11C11/15 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L43/10

FI (8件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , G11B5/39 , G11C11/15 112 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L27/10 447

Fターム (11件)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034CA02 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37

引用特許：

出願人引用 (14件)

国際公開第00/074154号パンフレット
トンネル磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気センサー、磁気ヘッド及び磁気メモリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068096 出願人：株式会社日立製作所
磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302354 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (11件)

メモリー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-149102 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-586013 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256208 出願人：株式会社東芝

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