特許
J-GLOBAL ID：200903017633252829
電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205051
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054527
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、ソース電極からゲート電極へのリーク電流を抑圧する。【解決手段】 チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記チャネル層上、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成されたゲート電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、前記高抵抗層を、前記ソース電極の側の第1の側壁面と、前記ドレイン電極の側の第2の側壁面とにより画成し、少なくとも前記第1の側壁面を、前記ソース電極から離間させる。
請求項（抜粋）：
キャリアを通過させるチャネル層と、前記チャネル層中にキャリアを注入するソース電極と、前記チャネル層中を通過したキャリアを回収するドレイン電極と、前記チャネル層上、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層に設けらた開口内に形成され、前記チャネル層を通過するキャリアを制御するゲート電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、前記高抵抗層は、前記ソース電極の側の第1の側壁面と、前記ドレイン電極の側の第2の側壁面とにより画成されており、少なくとも前記第1の側壁面は、前記ソース電極から離間していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
