フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-220587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-146152
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】光学的に透明な基板11の一方主面に遮光性膜12が設けられており、この遮光性膜12が第1の遮光性膜13と第2の遮光性膜14を順次積層させて構成されている。第1の遮光性膜13はフッ素系(F系)のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、その主成分がクロムである酸化物、窒化物、酸窒化物、などの膜である。さらに、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする、珪素や珪素と遷移金属の酸化物、窒化物、または酸化窒化物などの膜である。ここで、珪素含有化合物は、珪素10〜95at%、酸素0〜60at%、窒素0〜57at%、遷移金属0〜35at%、の範囲の組成とされ、遷移金属は例えばモリブデン(Mo)とされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

露光光に対して透明な基板上に第1遮光性膜と第2遮光性膜とが順次積層された遮光性膜を備えたフォトマスクブランクであって、前記第1遮光性膜は、フッ素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされないクロム(Cr)を主成分とする層を含み、前記第2遮光性膜はフッ素系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする層を含む、ことを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F1/08 K , G03F1/14 F , H01L21/30 502P

Fターム (8件)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB17 , 2H095BB25 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 2H095BC14 , 2H095BC20

引用特許：

出願人引用 (6件)

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-400378 出願人：HOYA株式会社
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-399790 出願人：HOYA株式会社
登録実用新案第3093632号公報

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審査官引用 (6件)

ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-201651 出願人：三星電子株式会社
フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-328159 出願人：株式会社日立製作所
位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-343544 出願人：株式会社東芝

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