特許
J-GLOBAL ID：200903018385424690

光半導体装置

発明者：
西村 晋

西村 晋 について

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本多 正治

本多 正治 について

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上山 孝二

上山 孝二 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

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鳥取三洋電機株式会社

鳥取三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176223
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 発光素子の活性層で発生する熱を効率的に外部に放散できる光半導体装置を提供する。【解決手段】 基板2表面に絶縁層8上に形成し、この絶縁層8に貫通孔8bを形成する。そして貫通孔8b上に発光素子配置用電極10を形成し、貫通孔8bを介して配置用電極10が基板2と直接接触するようにする。あるいは、半導体基板2に少なくとも一部が接触するように発光素子配置用電極10を形成し、この配置用電極10上に発光素子18を実装する。発光素子の活性層は、前記基板表面又は前記半導体基板表面から120μm以下の高さとすることができる。基板2には、光検知部としてのフォトダイオードを設けることができる。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成された絶縁層上に発光素子配置用電極が形成され、この配置用電極に発光素子が実装された光半導体装置であって、前記配置用電極が前記絶縁層に形成された貫通孔上に形成され、この貫通孔を介して前記配置用電極と前記基板とが直接接触していることを特徴とする光半導体装置。
Fターム (2件)：
5F073FA04 ,  5F073FA13
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208658   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭63-237492
  • 特開昭63-253690
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審査官引用 (17件)
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