特許
J-GLOBAL ID：200903018548681261
レジストポリマー及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-013877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-269855
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】 従来技術の難点を解消し、半導体の製造において使用されるレジスト用ポリマーにおいて、ロット間差、反応器差、スケール差が小さく、且つ、ハイポリマーを含まず、溶解性及び保存安定性に優れ、微細なパターン形成に好適なレジスト用ポリマーと、その製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のレジスト用ポリマーは、少なくとも、酸によって分解してアルカリ現像液に可溶となる構造を有する繰り返し単位と、半導体基板に対する密着性を高めるための極性基とを有する繰り返し単位を有するレジスト用ポリマーであって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定される分子量分布において、分子量10万以上の高分子量成分(ハイポリマー)のピーク面積が、全体のピーク面積に対して0.1%以下であることを特徴とするものである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、酸によって分解してアルカリ現像液に可溶となる構造を有する繰り返し単位と、半導体基板に対する密着性を高めるための極性基を有する繰り返し単位とを有するレジスト用ポリマーであって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定される分子量分布において、分子量10万以上の高分子量成分(ハイポリマー)のピーク面積が、全体のピーク面積に対して0.1%以下であることを特徴とするレジスト用ポリマー。
IPC (3件)：
C08F220/00
, G03F7/033
, H01L21/027
C08F220/00
, G03F7/033
, H01L21/30 502R
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100BA03R
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC53Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
出願人引用 (15件)
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特開昭59-045439号公報
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ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-043974
出願人：富士写真フイルム株式会社
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ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-285761
出願人：富士写真フイルム株式会社
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審査官引用 (5件)
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