半導体センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-022739
公開番号（公開出願番号）：特開2006-211468
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】更なる生産性の向上が可能な半導体センサを提供する。【解決手段】静電容量感知型の半導体マイクロフォンを構成する、可動ダイアフラム電極19と固定電極20との対向電極が半導体基板18上に形成されたマイクロフォンチップ15に、その半導体基板18の表面と裏面とを連通するように導電体の埋め込まれた貫通電極26を形成した。そのため可動ダイアフラム電極19等により構成されたMEMS構造を、ワイヤボンディングを用いずとも、貫通電極26を介して直接に、プリント配線基板11の配線に電気接続することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたダイアフラムを備える半導体センサにおいて、前記半導体基板の前記ダイアフラムの形成された側の面とその反対側の面とを連通するように導電体の埋め込まれた貫通電極を形成したことを特徴とする半導体センサ。

IPC (6件)：

H04R 1/40 , H01L 25/00 , H01L 29/84 , H04R 7/04 , H04R 19/04 , H04R 31/00

FI (6件)：

H04R1/40 320A , H01L25/00 B , H01L29/84 Z , H04R7/04 , H04R19/04 , H04R31/00

Fターム (14件)：

4M112AA06 , 4M112BA07 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA11 , 4M112EA06 , 4M112EA12 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 4M112GA03 , 5D016AA01 , 5D018BB22 , 5D021DD01

引用特許：

出願人引用 (2件)

特表昭60-500841号公報
小型シリコンコンデンサマイクロフォンおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-546465 出願人：ノウレスエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー

審査官引用 (13件)

静電容量型圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-283054 出願人：山武ハネウエル株式会社
音響検出機構
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-148918 出願人：東京エレクトロン株式会社
圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082551 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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