特許
J-GLOBAL ID：200903019188430064
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019577
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012806
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 半球形結晶粒子を有するキャパシタにおいて、下部電極層の表面に自然酸化膜が形成されないようにするとともに半球形結晶粒子の成長を増進させ得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ドーピングされた非晶質シリコン層を下部電極層のパターンで乾式食刻した後、非晶質シリコン層の表面でシリコンダングリングボンドをコントロールし、表面からのシリコンの移動を増大させる。非晶質シリコン層の表面に半球形結晶粒子を成長させることにより下部電極層を形成する。低温で脱着可能な水素を非晶質シリコン層の表面にパッシベーションさせることにより、前記非晶質シリコン層の表面に自然酸化膜が成長することを抑制することができ、半球形結晶粒子の形成工程時、水素脱着により非晶質シリコン層の表面にシリコンダングリングボンドが多量生成されることにより、シリコンの移動が増大される。
請求項（抜粋）：
表面に半球形結晶粒子を有する下部電極層と上部電極層との間に誘電体層を有する半導体装置の製造方法において、ドーピングされた非晶質シリコン層を下部電極層のパターンで乾式食刻する段階と、前記非晶質シリコン層の表面でシリコンダングリングボンドをコントロールし、前記非晶質シリコン層の表面からのシリコンの移動を増大させる段階と、前記非晶質シリコン層の表面に半球形結晶粒子を成長させることにより下部電極層を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/04 C
