特許
J-GLOBAL ID:200903020498179360
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-264726
公開番号(公開出願番号):特開2009-093011
出願日: 2007年10月10日
公開日(公表日): 2009年04月30日
要約:
【課題】100nm以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ性能、フォーカス余裕度が改良され、かつ良好な露光ラチチュードを有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の3級エステル構造を有する酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)活性光線又は放射線の照射により特定構造のプロトンアクセプター性官能基を有する化合物を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(I)で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(II)で表される化合物を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 20/10
FI (4件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503B
, H01L21/30 502R
, C08F20/10
Fターム (44件):
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BF03
, 2H025BG00
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL01P
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL26P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA15P
, 4J100BA20P
, 4J100BA40Q
, 4J100BA40R
, 4J100BA40S
, 4J100BC02P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC22Q
, 4J100BC23Q
, 4J100BC53R
, 4J100BC53S
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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