特許
J-GLOBAL ID：200903020546869233

窒化物系半導体発光素子

発明者：
工藤 広光

工藤 広光 について

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只友 一行

只友 一行 について

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岡川 広明

岡川 広明 について

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山田 智雄

山田 智雄 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-148476
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081368
出願日： 2006年05月29日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】p型コンタクト層の構成を工夫することによって、動作電圧がより低くされた、窒化物系半導体発光素子を提供すること。【解決手段】当該発光素子は、窒化物半導体結晶層からなる積層体Sを有し、該積層体Sは、n型層2、発光層3、p型層4を含み、p型層4は、p側電極P2と接触するp型コンタクト層42を有する。p型コンタクト層42は、第1コンタクト層42aと、第2コンタクト層42bとからなる。第1コンタクト層42aは、一方の面においてp側電極P2と接触し、他方の面において第2コンタクト層42bと接触している。第1コンタクト層42aは、Alx1Iny1Gaz1N(0 請求項（抜粋）：
窒化物系半導体結晶層からなる積層体を有し、該積層体にはn型層およびp型層が含まれ、該p型層にはp側電極と接触するp型コンタクト層が含まれている、窒化物系半導体発光素子であって、 該p型コンタクト層は、一方の表面側においてp側電極と接触する第1コンタクト層と、該第1コンタクト層の他方の面と接触する第2コンタクト層とからなり、 該第1コンタクト層は、Alx1Iny1Gaz1N(0 IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65
引用特許：
出願人引用 (9件)
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