特許
J-GLOBAL ID：200903020878931609

フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-042390
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227391
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【解決手段】 一般式(1)で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数6〜16のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。 【化1】(R1は水素原子又はアルキル基、R2、R3、R4、R5、R6はアリール基で、エーテル基を有してもよく、a、b、c、d、eは0〜2の整数で、0≦a+b+c+d+e≦10の整数である。)【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度も通常のm-クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数6〜16のアリール基を有するフラーレン類を含有することを特徴とするフォトレジスト下層膜形成材料。
IPC (3件)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R
Fターム (24件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB32 ,  2H025DA25 ,  2H025DA34 ,  2H025DA39 ,  2H025DA40 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096HA07 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA18 ,  2H096KA19
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (2件)

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