特許

J-GLOBAL ID：200903020944922411

Cu超微粒子独立分散液

発明者： 小田 正明 ,  今関 暢哉 ,  山川 洋幸 ,  村上 裕彦
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226464
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123634
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 LSI基板の微細な配線溝、ビアホール、コンタクトホール等を完全に埋設することができ、導電性の均一な微細パターンを形成することができるCu超微粒子独立分散液の開発。【解決手段】 室温で蒸発し難くかつ半導体基板上にCu配線を形成する際の乾燥・焼成工程で蒸発するような有機溶媒中に、粒径0.01μm以下のCu金属含有超微粒子がその表面を該有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しており、粘度が50cP以下になるようにした。

請求項（抜粋）：

室温で蒸発し難くかつ半導体基板上にCu配線を形成する際の乾燥・焼成工程で蒸発するような有機溶媒と、粒径0.01μm以下のCu金属含有超微粒子とを混合して形成され、該超微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立して分散しており、粘度が50cP以下であることを特徴とするCu超微粒子独立分散液。

IPC (4件)：

H01B 1/22 ,  H01B 1/00 ,  H05K 1/09 ,  C09D 17/00

FI (4件)：

H01B 1/22 A ,  H01B 1/00 F ,  H05K 1/09 D ,  C09D 17/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板への薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255513   出願人：真空冶金株式会社
• コーティング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-346075   出願人：クラリアントインターナショナルリミテッド
• セラミツクスのメタライジング用低粘性銅インク組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-298130   出願人：日本セメント株式会社
• 導体ペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293063   出願人：株式会社住友金属セラミックス, 住友金属工業株式会社