特許
J-GLOBAL ID：200903020973991325

MOSゲート型炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
岸本 大輔

岸本 大輔 について

, 
辻 崇

辻 崇 について

, 
中村 俊一

中村 俊一 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174554
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351743
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【目的】チャネル移動度を大きくし、チャネル抵抗を低減できるMOSゲート型炭化珪素半導体装置の提供。【構成】一導電型の領域に挟まれた他導電型領域表面にゲート酸化膜を介して形成されるポリシリコンゲート電極を備えるMOSゲート型炭化珪素半導体装置において、前記ゲート酸化膜に接する前記他導電型領域が他導電型シリコン半導体層で形成されているMOSゲート型炭化珪素半導体装置とする。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
一導電型の領域に挟まれた他導電型領域表面にゲート酸化膜を介して形成されるポリシリコンゲート電極を備えるMOSゲート型炭化珪素半導体装置において、前記ゲート酸化膜に接する前記他導電型領域が他導電型シリコン半導体層で形成されていることを特徴とするMOSゲート型炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/12 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 301B
Fターム (19件)：
5F140AA05 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BB03 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BK13 ,  5F140CE18
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • MOSデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060383   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196731   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 半導体集積回路装置搭載用基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-329596   出願人：シャープ株式会社
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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