特許
J-GLOBAL ID：200903021707398950
パターン決定方法および露光装置に用いられるアパーチャ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002505
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204397
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の配線パターンを設定するにあたり、その配線パターンの光学像の結像可否の判断が容易に行なえるパターン決定方法を提供する。また、光近接効果の低減が図られるアパーチャを提供する。【解決手段】 配線の幅等を設定するステップS1と、マスクパターンおよびアパーチャの形状を関数表現するステップS2と、露光光の振幅分布を計算するステップS3、S4と、像面における露光光の強度分布を計算するステップS5と、露光光の最大、最小および基準強度を計算するステップS6、S7と、露光マージンおよびフォーカスマージンを判断するステップS8と、光学像の結像可否のデータを蓄積するステップS9と、テーブルを表示するステップS10とを備えている。アパーチャの形状として、4つの開口部を備えた形状を設定する。
請求項（抜粋）：
配線の幅および該配線と該配線との間隔を設定するステップと、前記幅および前記間隔に基づいたマスクのパターンと、前記マスクへ所定の角度で露光光を入射させるためのアパーチャの形状とを設定するステップと、光源面から発せられ、前記アパーチャおよび前記マスクを透過した露光光のウェハ面における露光光強度分布を計算するステップと、前記露光光強度分布における最大露光光強度または最小露光光強度を計算するステップと、基準露光光強度を設定するステップと、前記基準露光光強度に対するデフォーカス量を計算するステップと、前記基準露光光強度、前記最大露光光強度、前記最小露光光強度および前記デフォーカス量により、前記ウェハ面における前記マスクのパターンの光学像の結像の可否を判断するステップと、前記結像の可否のデータを、前記幅および前記間隔と対応させて、パターン形成可否テーブルを作成するステップとを有するテーブル作成手段を用い、該テーブル作成手段によって得られた前記パターン形成可否テーブルに基づき、半導体装置の配線の幅および配線と配線との間隔を決定する、パターン決定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26 501
H01L 21/30 528
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26 501
, H01L 21/30 502 G
