有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078787
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243911
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】有機ELや液晶素子などの高精細で大画面の表示デバイスに対し、有機薄膜トランジスタを適用させるため、低電圧の駆動が可能な、フォトリソプロセスにて微細化できるボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであり、ゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された金属化合物からなる界面層及び該界面層上に形成された導電層の2層からなるソース電極と、ゲート絶縁膜上に少なくとも導電層から形成されたドレイン電極と、該ソース電極及びドレイン電極間のゲート絶縁膜上に設けられた有機半導体層とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであり、ゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された金属化合物からなる界面層及び該界面層上に形成された導電層の2層からなるソース電極と、前記ゲート絶縁膜上に少なくとも導電層から形成されたドレイン電極と、該ソース電極及びドレイン電極間のゲート絶縁膜上に設けられた有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/28 250Z

Fターム (34件)：

5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HM12

引用特許：

審査官引用 (10件)

有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-306861 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-142353 出願人：松下電器産業株式会社
有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-092708 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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